Video: ¿Cómo se calcula el voltaje incorporado?
2024 Autor: Miles Stephen | [email protected]. Última modificación: 2023-12-15 23:35
los potencial incorporado (a 300 K) es igual a fI = kT / q ln (1016 x 9 x 1017/norteI2) = 0,77 V, utilizando kT / q = 25,84 mV ynI = 1010 cm-3. los potencial incorporado (a 100 ° C) es igual a fI = kT / q ln (1016 x 9 x 1017/norteI2) = 0.673 V, usando kT / q = 32.14 mV ynI = 8,55 x 1011 cm-3 (del Ejemplo 20).
En consecuencia, ¿cuál es el voltaje incorporado de una unión pn?
Hay un " construido -en" VOLTAJE en el Unión PN interfaz que evita la penetración de electrones en el lado p y agujeros en el lado n. Cuando el Voltaje V es positivo (polaridad "directa"), el término exponencial aumenta rápidamente con V y la corriente es alta.
Además, ¿cómo se mide el potencial de barrera? Un voltímetro ordinario tiene una impedancia de entrada finita, lo que simplemente significa que, para la medida un voltaje a través, debe haber alguna (pequeña) corriente a través del voltímetro. Por lo tanto, para la medida el incorporado potencial de un diodo con un voltímetro requeriría que el potencial 'impulsa' una (minúscula) corriente a través del voltímetro.
Entonces, ¿qué es el voltaje incorporado?
4.3. 1 El construido -en potencial. los construido -en potencial en un semiconductor es igual al potencial a través de la región de agotamiento en equilibrio térmico. También es igual a la suma de los potenciales globales de cada región, ya que el potencial global cuantifica la distancia entre la energía fermi y la energía intrínseca.
¿Qué se entiende por región de agotamiento?
Region de agotamiento o capa de agotamiento es un región en un diodo de unión P-N donde no hay portadores de carga móviles presentes. Capa de agotamiento actúa como una barrera que se opone al flujo de electrones del lado ny los huecos del lado p.
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